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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5772 个

  • 电压反馈电路,原理图,工作原理分析-KIA MOS管

    Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光耦初级电流增大→光耦次级电流增大→FB脚电压升高→电源管理芯片降低MOS管的占空比→Vo输出电压减小。反之亦然,如此保障输出电压平稳。

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    www.kiaic.com/article/detail/5614.html         2025-04-11

  • 彩灯控制电路分享,彩灯控制电路设计-KIA MOS管

    由两个555构成两个时钟电路,由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路,由双D触发器和数据选择器构成开关电路,由移位寄存器和八个彩灯构成输出电路,一个时钟控制模十六计数器和移位寄存器,另一个时钟控制双D触发器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5613.html         2025-04-11

  • 高速线路驱动器,4403mos管,​-5A-30V SOP-8,KPE4403B-KIA MOS管

    KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V,漏极电流-5A,低导通电阻RDS(on)=40mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;-5V逻辑电平控制、符合RoHS,高效稳定可靠;适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器、电源管理功能,封装形式:SOP-8,散热良好、安装方...

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    www.kiaic.com/article/detail/5612.html         2025-04-10

  • mos管n沟道和p沟道的区别,应用-KIA MOS管

    N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底,然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后,在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅极。而P沟道MOS管则是以一个掺入了少量负离子的N型半导体做为衬底,在衬底上制作两个P+区作为源...

    www.kiaic.com/article/detail/5611.html         2025-04-10

  • mos管结电容,结电容对电路的影响-KIA MOS管

    MOS管结电容,是MOS管在极化时,于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数,对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响,

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    www.kiaic.com/article/detail/5610.html         2025-04-10

  • 适配器mos管,500vmos管,KIA840SB参数引脚图-KIA MOS管

    KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流8A,低导通电阻RDS(on)=0.7Ω,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;低栅极电荷、开关速度快,高效可靠;100%雪崩测试、符合RoHS,稳定环保;合理的峰值电流与脉冲宽度曲线,提供优越的开关性能;适用于适配器、电视...

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    www.kiaic.com/article/detail/5609.html         2025-04-09

  • LED驱动电路原理,LED驱动电路图分享-KIA MOS管

    将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压,然后通过滤波器将直流电压进行滤波,以保证输出电流的稳定性和平滑性。接下来,通过驱动器将直流电压转换为适合LED的恒流电源,并控制LED的亮度。驱动器可以采用各种不同的电路和元件,如晶体管、运放、PWM控制器等...

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    www.kiaic.com/article/detail/5608.html         2025-04-09

  • h桥电路工作原理,h桥电路图详解-KIA MOS管

    该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成,因此被称为P-NMOS管H桥。这些场效应管在桥臂上充当开关的角色,其中P型管在栅极电压为低时导通,高时关闭;而N型管则在栅极电压为高时导通,低时关闭。

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    www.kiaic.com/article/detail/5607.html         2025-04-09

  • ups电源场效应管,150a40vmos管,KCY2704A参数引脚图-KIA MOS管

    KCX2704A场效应管漏极电流150A,漏源击穿电压为40V;采用LVMOS技术生产,改进的工艺和单元结构,最小化导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ,提供优越的开关性能;低栅极电荷、低跨导、快速开关,高效可靠;极高dv/dt额定、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS,稳定环保;...

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    www.kiaic.com/article/detail/5606.html         2025-04-08

  • 220v电机怎么接线,220v电机接线图-KIA MOS管

    220V电机通常指线电压为220V的三相交流异步电动机。电机接线包括电机电源线和内部接线,内部接线采用△接法或Y接法,必须参考电机铭牌的接线图。根据具体电路,不同电机的内部绕组接线方式是不同的,△接法或Y接法的唯一参考因素是电动机的电源电压。

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    www.kiaic.com/article/detail/5605.html         2025-04-08

  • mosfet驱动电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管

    mosfet驱动电路的原理是通过调节栅极电压控制漏源极的导通状态,利用栅极电容充放电实现快速开关。

    www.kiaic.com/article/detail/5604.html         2025-04-08

  • ​应急启动电源mos,12a650v场效应管,KNF6365A参数资料-KIA MOS管

    应急启动电源专用MOS管KNF6365A漏极电流12A,漏源击穿电压为650V,低导通电阻RDS(开启) 0.7Ω,低电阻、低门电荷、低反向传输电容,最大限度地减少开关损耗,提高效率;快速切换、ESD改进能力、100%单脉冲雪崩能量测试,高效稳定可靠;广泛应用于适配器和充电器...

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    www.kiaic.com/article/detail/5603.html         2025-04-07

  • 负载开关,30v80amos管,3403场效应管,KNY3403C参数-KIA MOS管

    KNY3403C场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流80A,极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ,可最大限度地降低导通电阻,最小化开关损耗;低栅极电荷、低反向传输电容,高效率低损耗;快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试,稳定可靠,广泛应用于PWM应用程序、开关...

    www.kiaic.com/article/detail/5591.html         2025-04-07

  • ​元器件封装形式,电子元器件封装-KIA MOS管

    直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板,从顶层穿下,在底层进行元器件的引脚焊接,如图所示。

    www.kiaic.com/article/detail/5592.html         2025-04-07

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